Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W

RS Best.-Nr.:: 244-5835
Herst. Teile-Nr.:: FP50R12KE3BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W

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RS Best.-Nr.:: 244-5835
Herst. Teile-Nr.:: FP50R12KE3BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	280 W
	Anzahl an Transistoren	7

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2,30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W

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