Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W

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244-5835
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12KE3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

280W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

FP50R12KE3

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2,30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

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