Infineon IGBT-Modul / 100 A, 1200 V 355 W Modul Panel

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RS Best.-Nr.:
273-7408
Herst. Teile-Nr.:
FS75R12KT3GBOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

355W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

122mm

Normen/Zulassungen

EN61140, IEC61140

Höhe

20.5mm

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 75 A. Es verfügt über ein Modul mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter Hochleistungsdiode und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand

Hohe Leistungsdichte

Kompaktes Modulkonzept

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