Infineon IGBT-Modul / 107 A, 1200 V 375 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7410
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7410
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 107A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | EN61140, IEC61140 | |
| Länge | 56.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 107A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen EN61140, IEC61140 | ||
Länge 56.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT-Modul ist dank integrierter Befestigungsklemmen sehr robust. Dieses IGBT-Modul verfügt über einen VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten und ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand. Er eignet sich für Servoantriebe, USV-Systeme, Klimaanlagen und Motorantriebe.
Niedriger VCEsat
Trench IGBT 4
Kompaktes Design
Geringe Schaltverluste
Lötkontakttechnologie
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