Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 500 W, 8-Pin Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7367
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 4 | CHF.76.58 |
| 5 - 9 | CHF.75.04 |
| 10 - 99 | CHF.69.62 |
| 100 - 249 | CHF.63.81 |
| 250 + | CHF.58.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7367
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL (E83335), RoHS | |
| Länge | 62.4mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL (E83335), RoHS | ||
Länge 62.4mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT-Modul verfügt über 1200 V VCES, 75 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom, 3-Level-Phasenschenkel-IGBT-Modul mit aktiver Neutral Point Clamp 2, NTC, Hochgeschwindigkeits-IGBT H3 und Press FIT-Kontakttechnologie. Dieses IGBT-Modul eignet sich für 3-Ebenen-Anwendungen.
RoHS-konform
Hochgeschwindigkeits-IGBT H3
Geringe Schaltverluste
Geeignet für Solaranwendungen
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