Infineon IGBT-Modul / 280 A, 1200 V 1000 W EconoPACK
- RS Best.-Nr.:
- 244-5869
- Herst. Teile-Nr.:
- FS200R12PT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5869
- Herst. Teile-Nr.:
- FS200R12PT4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 280A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1000W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | EconoPACK | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FS200R12PT4 | |
| Normen/Zulassungen | ULapproved(E83335) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 280A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1000W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße EconoPACK | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FS200R12PT4 | ||
Normen/Zulassungen ULapproved(E83335) | ||
Automobilstandard Nein | ||
The infineon IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and press FIT / NTC it is use in high power converters, motor drives, traction drives, ups systems etc.
Electrical features
Extended operation temperature Tvj
Low switching losses
Low VCEsat
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
2,5 kV AC 1min insulation
High power density
Isolated base plate
Standard housing
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