Infineon IGBT-Modul, 1200 V 175 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5389
- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5389
- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 175W | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 51mm | |
| Höhe | 12mm | |
| Serie | FP25R12W2T4B11B | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 175W | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 51mm | ||
Höhe 12mm | ||
Serie FP25R12W2T4B11B | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 50 A und einen maximalen Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,25 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.
Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität 0,05 NF