Infineon IGBT / 40 A, 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW40N65H5FKSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0990
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW40N65H5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon TRENCHSTOP 5 IGBT-Technologie definiert erstklassige IGBTs neu, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Die neue Produktfamilie ist ein großer Durchbruch in der IGBT-Innovation, um den hohen Effizienzanforderungen der Märkte von morgen gerecht zu werden.
Durchgangsspannung: 650 V
Faktor 2,5 niedriger Q g
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
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