Infineon IGBT / 50 A, 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2919
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-2919
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 282W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Serie | Reverse Conducting | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 282W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 16.13 mm | ||
Serie Reverse Conducting | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Monolithic Diode, optimiert für PFC- und Schweißanwendungen. Es verfügt über ein stabiles Temperaturverhalten und sehr niedrige VCEsat und niedrige Eoff sowie eine einfache parallele Schaltfähigkeit basierend auf dem positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat.
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige elektrische Parameter abhängig von der Temperatur
Zugelassen gemäß JESD-022 für Zielanwendungen
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RO HS-konform
Komplettes Produktspektrum und Pspice Models
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