Infineon IGBT / 80 A, 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2918
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (240 Stück, in einer Stange mit 240)*
CHF 412.08
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | CHF 1.717 | CHF 413.05 |
| 480 + | CHF 1.636 | CHF 392.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2918
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 282W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.40V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Serie | IKW | |
| Länge | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 282W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.40V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Serie IKW | ||
Länge 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Monolithic Diode, optimiert für PFC- und Schweißanwendungen. Es verfügt über ein stabiles Temperaturverhalten und sehr niedrige VCEsat und niedrige Eoff sowie eine einfache parallele Schaltfähigkeit basierend auf dem positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat.
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige elektrische Parameter abhängig von der Temperatur
Zugelassen gemäß JESD-022 für Zielanwendungen
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RO HS-konform
Komplettes Produktspektrum und Pspice Models
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 50 A, 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 50 A, 650 V 273 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT, 650 V 185 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Modul / 50 A, 650 V 305 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Modul / 75 A, 650 V 395 W PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 230.8 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 136 W, 3-Pin PG-TO-247