Infineon IGBT / 50 A, 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2918
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 244-2918
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 282W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | Reverse Conducting | |
| Länge | 41.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 282W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 16.13 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie Reverse Conducting | ||
Länge 41.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Monolithic Diode, optimiert für PFC- und Schweißanwendungen. Es verfügt über ein stabiles Temperaturverhalten und sehr niedrige VCEsat und niedrige Eoff sowie eine einfache parallele Schaltfähigkeit basierend auf dem positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat.
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige elektrische Parameter abhängig von der Temperatur
Zugelassen gemäß JESD-022 für Zielanwendungen
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RO HS-konform
Komplettes Produktspektrum und Pspice Models
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