Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

RS Stock No.:: 218-4329
Mfr. Part No.:: FF1800R12IE5PBPSA1
Brand:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

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RS Stock No.:: 218-4329
Mfr. Part No.:: FF1800R12IE5PBPSA1
Brand:: Infineon

Specifications

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	1,8 kA
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	20V
	Anzahl an Transistoren	2
	Verlustleistung max.	20 mW
	Gehäusegröße	Prime3+
	Konfiguration	Dual
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	10
	Transistor-Konfiguration	Dual

	Select all
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 1,8 kA
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. 20V
	Anzahl an Transistoren 2
	Verlustleistung max. 20 mW
	Gehäusegröße Prime3+
	Konfiguration Dual
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 10
	Transistor-Konfiguration Dual

Datasheet - FF1800R12IE5PBPSA1

Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1800 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.

Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit
Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten
Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert
Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung
Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen

Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

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