Infineon IGBT / 75 A, 650 V 198 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4392
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW75N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF 5.838 | CHF 29.21 |
| 10 - 20 | CHF 5.08 | CHF 25.40 |
| 25 - 45 | CHF 4.727 | CHF 23.65 |
| 50 - 120 | CHF 4.383 | CHF 21.90 |
| 125 + | CHF 4.091 | CHF 20.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4392
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW75N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 198W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Serie | IGW75N65H5 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 198W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Serie IGW75N65H5 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 120 A.
Höhere Leistungsdichte
50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen
Leichter positiver Temperaturkoeffizient
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