STMicroelectronics IGBT / 6 A, 600 V 12.5 W, 26-Pin Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.484

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.8.48
5 +CHF.8.32

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-4825
Herst. Teile-Nr.:
STGIPQ4C60T-HZ
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

6A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

26

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

600 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.2mm

Länge

32.5mm

Breite

12.55 mm

Serie

SLLIMM 2nd

Automobilstandard

Nein

SLLIMM nano 2. Serie IPM, 3-phasiger Wechselrichter, 6 A, 600 V, kurzschlussfester IGBT


Diese zweite Serie von SLLIMM (Small Low-Loss Intelligent Molded Module) Nano bietet einen kompakten, leistungsstarken Wechselstrommotorantrieb in einem einfachen, robusten Design. Es besteht aus sechs verbesserten, kurzschließenden, robusten Trench-Gate Fieldtop-IGBTs mit Freilaufdioden und drei Halbbrücken-HVICs für Gate-Antrieb, die geringe elektromagnetische Störungen (EMI) mit optimierter Schaltgeschwindigkeit bieten. Das Gehäuse wurde entwickelt, um ein besseres und einfacheres Aufschrauben des Kühlkörpers zu ermöglichen, und ist für thermische Leistung und Kompaktheit in integrierten Motoranwendungen oder anderen Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme optimiert, bei denen der Montageplatz begrenzt ist. Dieser IPM umfasst einen völlig ungebundenen Operationsverstärker und einen Komparator, mit dem ein schneller und effizienter Schutzschaltkreis entworfen werden kann.

  • IPM 6 A, 600 V, 3-phasige IGBT-Wechselrichterbrücke einschließlich 3 Steuerungs-ICs für Gate-Antrieb und Freilaufdioden

  • 3,3 V, 5 V, 15 V TTL/CMOS-Eingangskomparatoren mit Hysterese und Abwärts-/Aufwärtswiderständen

  • Interne Bootstrap-Diode

  • Optimiert für geringe elektromagnetische Störungen

  • Unterspannungssperre

  • Kurzschlussfester TFS-IGBT

  • Abschaltfunktion

  • Verriegelungsfunktion

  • Operationsverstärker für erweiterte Stromerkennung

  • Komparator für Fehlerschutz gegen Überstrom

  • Isolationswerte von 1500 V eff/min.

  • NTC (UL 1434 CA 2 und 4)

  • Bis zu ±2 kV ESD-Schutz (HBM C = 100 pF, R = 1,5 kΩ)

  • UL-Zulassung: UL 1557, Datei E81734

  • Verwandte Links