Teile-Nr.

Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6098
Herst. Teile-Nr.:: IKD10N60RATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 226-6098
Herst. Teile-Nr.:: IKD10N60RATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	20 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	20V
	Verlustleistung max.	150 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	PG-TO252
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 20 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. 20V
	Verlustleistung max. 150 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße PG-TO252
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - IKD10N60RATMA1

Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.

Sehr enge Parameter Verteilung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit von 5 μs

Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

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