Infineon IGBT / 6,5 A 20V max. , 600 V 53,6 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6093
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD03N60RFATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.0.693 | CHF.10.44 |
| 75 - 135 | CHF.0.662 | CHF.9.91 |
| 150 - 360 | CHF.0.63 | CHF.9.49 |
| 375 - 735 | CHF.0.609 | CHF.9.07 |
| 750 + | CHF.0.567 | CHF.8.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6093
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD03N60RFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 6,5 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 53,6 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO252 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 6,5 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 53,6 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO252 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit von 5 μs
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit von 5 μs
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