Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 6.5 A, 600 V 53.6 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
226-6093
Herst. Teile-Nr.:
IKD03N60RFATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

6.5A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

53.6W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

30kHz

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

TRENCHSTOP RC-DrivesFast

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.

Sehr enge Parameter Verteilung

Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

Kurzschlussfestigkeit von 5 μs

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