Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul Typ N-Kanal Chassis
- RS Best.-Nr.:
- 232-6711
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12N2T7B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 232-6711
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12N2T7B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Chassis | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 23 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FP50R12N2T7_B11 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 107.5mm | |
| Höhe | 21.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Chassis | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 23 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FP50R12N2T7_B11 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 107.5mm | ||
Höhe 21.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul EconoPIM 2, 50 A von Infineon wird mit Trenchstop IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie geliefert. Das PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Brems-Chopper ermöglicht Kosteneinsparungen. Mögliche Anwendungen umfassen Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe.
RoHS-konforme Module
Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
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