Infineon IGBT / 2.4 kA Halbbrücke, 1.2 kV 20 mW Modul N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 349-362
- Herst. Teile-Nr.:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- 349-362
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- FF2400R12IP7BPSA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 2.4kA | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Breite | 89mm | |
| Höhe | 38.25mm | |
| Länge | 247mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 2.4kA | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Breite 89mm | ||
Höhe 38.25mm | ||
Länge 247mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Modul mit TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode und NTC wurde für Anwendungen mit sehr hoher Leistung entwickelt und bietet eine hervorragende Performance und Effizienz. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert sowohl den Platzbedarf als auch die Leistungsaufnahme für anspruchsvolle industrielle Anwendungen. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung liefert, um die Effizienz zu maximieren und Energieverluste zu minimieren.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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