Infineon IGBT / 310 A Halbbrücke, 1200 V 20 mW HybridPACK Drive G2 Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme

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RS Best.-Nr.:
349-191
Herst. Teile-Nr.:
FS03MR12A7MA2BHPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

310A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Anzahl an Transistoren

6

Gehäusegröße

HybridPACK Drive G2

Konfiguration

Halbbrücke

Montageart

Schraubanschlussklemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

19 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

100.5 mm

Länge

154.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94 V0

Automobilstandard

AQG 324

Ursprungsland:
DE
Das Power-Modul von Infineon implementiert die zweite Generation des CoolSiC Automotive MOSFET 1200V. Es ist optimiert für elektrische Antriebsstranganwendungen, von mittleren bis hohen Leistungsklassen im Automobilbereich bis hin zu gewerblichen Fahrzeugen, Baufahrzeugen und landwirtschaftlichen Fahrzeugen mit hoher Reichweite.

Hohe Leistungsdichte

Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte

Integrierte Temperatur-Sensor-Diode

PressFIT-Kontakttechnik

Kompakte Bauweise

Höhere Temperaturwechselfähigkeit

Integrierte Dioden-Temperatursensoren

Neues Kunststoffmaterial

Bessere Temperaturbeständigkeit

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