Infineon Halbbrücke HybridPACK N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET-Module 750 V Erweiterung / 620 A 20 mW, 30-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 762-980
- Herst. Teile-Nr.:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 620A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | HybridPACK | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-12 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 30 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5μC | |
| Durchlassspannung Vf | 6.73V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 620A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie HybridPACK | ||
Gehäusegröße PG-TSON-12 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 30 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5μC | ||
Durchlassspannung Vf 6.73V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das HybridPACK Drive G2-Modul von Infineon nutzt Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs und bietet eine maximale Spannung von 750 V und einen Nennstrom von 620 A. Sein Design zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, minimale Schaltverluste und eine robuste Isolationsfähigkeit von 4,25 kV aus. Es wurde für hohe Leistung entwickelt und hält Betriebstemperaturen von bis zu 200 °C aufrecht.
Kompakte Bauweise
Hohe Leistungsdichte
Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte
Integrierte Temperatur-Sensor-Diode
PressFIT-Kontakttechnik
RoHS-konform, bleifrei
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