MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 121-9641
Herst. Teile-Nr.DMP3099L-7
CHF.0.059
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 2,9 A 30 V 99 mΩ SOT-23 2.1V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,08 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 827-0503
Herst. Teile-Nr.DMP3099L-7
CHF.0.12
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 2,9 A 30 V 99 mΩ SOT-23 2.1V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,08 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 796-1381
Herst. Teile-Nr.NTR5198NLT1G
CHF.0.257
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 2,2 A 60 V 155 mΩ SOT-23 2.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 900 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 155-147
Herst. Teile-Nr.ZXMN6A07FTA
CHF.0.35
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 1,2 A 60 V 450 mΩ SOT-23 3V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 806 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 922-7651
Herst. Teile-Nr.ZXMN6A07FTA
CHF.0.152
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 1,2 A 60 V 450 mΩ SOT-23 3V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 806 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 739-0189
Herst. Teile-Nr.FDG6303N
CHF.0.070
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 500 mA 25 V 770 mΩ SOT-363 (SC-70) - SMD 0.65V 6 +8 V Enhancement 300 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 810-3700
Herst. Teile-Nr.STW120NF10
CHF.4.295
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 110 A 100 V 10,5 mΩ TO-247 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 312 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-7601
Herst. Teile-Nr.FDG6303N
CHF.0.059
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 500 mA 25 V 770 mΩ SOT-363 (SC-70) - SMD 0.65V 6 +8 V Enhancement 300 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 146-0412
Herst. Teile-Nr.STW120NF10
CHF.3.639
Stück (In einer Stange von 30)
Stück
N 110 A 100 V 10,5 mΩ TO-247 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 312 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 783-3113
Herst. Teile-Nr.STL36N55M5
CHF.5.125
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 22 A 600 V 90 mΩ PowerFLAT HS 5V SMD 3V 5 –25 V, +25 V Enhancement 2,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 751-5348
Herst. Teile-Nr.ZXMHC6A07N8TC
CHF.0.983
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N, P 1,4 A; 1,8 A 60 V 350 mΩ SOIC 3V SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 1,36 W Vollbrücke 4
RS Best.-Nr. 169-0719
Herst. Teile-Nr.ZXMHC6A07N8TC
CHF.0.421
Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Stück
N, P 1,4 A; 1,8 A 60 V 350 mΩ SOIC 3V SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 1,36 W Vollbrücke 4
RS Best.-Nr. 920-8714
Herst. Teile-Nr.STL36N55M5
CHF.2.528
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 22 A 600 V 90 mΩ PowerFLAT HS 5V SMD 3V 5 –25 V, +25 V Enhancement 2,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 801-1443
Herst. Teile-Nr.IXFR48N60Q3
MarkeIXYS
CHF.23.637
Stück
Stück
N 32 A 600 V 154 mΩ ISOPLUS247 6.5V Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 500 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-7590
Herst. Teile-Nr.FDN338P
CHF.0.094
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 1,6 A 20 V 115 mΩ SOT-23 1.5V SMD 0.4V 3 –8 V, +8 V Enhancement 500 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-0438
Herst. Teile-Nr.FDN338P
CHF.0.316
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
P 1,6 A 20 V 115 mΩ SOT-23 1.5V SMD 0.4V 3 –8 V, +8 V Enhancement 500 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 751-5332
Herst. Teile-Nr.ZXMHC10A07N8TC
CHF.1.159
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N, P 1 A, 850 mA 100 V 1,45 Ω, 900 mΩ SOIC 4V SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 1,36 W Vollbrücke 4
RS Best.-Nr. 168-4710
Herst. Teile-Nr.IXFR48N60Q3
MarkeIXYS
CHF.18.75
Stück (In einer Stange von 30)
Stück
N 32 A 600 V 154 mΩ ISOPLUS247 6.5V Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 500 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 122-1421
Herst. Teile-Nr.ZXMHC10A07N8TC
CHF.0.515
Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Stück
N, P 1 A, 850 mA 100 V 1,45 Ω, 900 mΩ SOIC 4V SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 1,36 W Vollbrücke 4
RS Best.-Nr. 671-0321
Herst. Teile-Nr.BSS123
CHF.0.211
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 170 mA 100 V 6 Ω SOT-23 2V SMD 0.8V 3 -20 V, +20 V Enhancement 360 mW Einfach 1