MOSFETs | MOSFET-Transistoren, N- & P-Channel-MOSFETs | RS
Anmelden / Registrieren um Ihre Vorteile zu nutzen
Kürzlich gesucht

    MOSFET

    MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

    Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

    Wie funktionieren MOSFETs?

    Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

    Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

    MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

    N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

    N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp, N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

    P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

    Warum RS

    Wir bieten Ihnen eine breite Palette hochwertiger und preisgünstiger Produkte unter anderem von führenden Herstellern wie DiodesZetex, Infineon, Nexperia und onsemi u.v.m. an

    18715 Produkte angezeigt für MOSFET

    Vishay
    N
    13 A
    800 V
    0,304 Ω
    D2PAK (TO-263)
    E
    2 → 4V
    SMD
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    N
    16 A
    800 V
    -
    DPAK (TO-252)
    -
    -
    SMD
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IXYS
    N
    10 A
    800 V
    1,1 Ω
    TO-220
    HiperFET, Polar
    5.5V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    300 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.83mm
    40 nC @ 10 V
    10.66mm
    Si
    STMicroelectronics
    N
    3 A; 4 A
    5 V, 12 V
    0,04 Ω
    TSOT23-8L
    E-Fuse
    15V
    -
    -
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    Si
    DiodesZetex
    N
    400 mA
    30 V
    -
    X2-DFN0806-6
    -
    -
    SMD
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    DiodesZetex
    N, P
    1,8 A, 1,5 A
    60 V
    300 mΩ, 425 mΩ
    SM
    -
    3V
    SMD
    -
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,7 W
    -
    Vollbrücke
    4
    +150 °C
    3.7mm
    1,65 nC @ 5 V, 2,4 nC @ 5 V
    6.7mm
    Si
    Infineon
    N
    11 A
    800 V
    450 mΩ
    TO-247
    CoolMOS™ C3
    3.9V
    THT
    2.1V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    156 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    5.21mm
    64 nC @ 10 V
    16.13mm
    Si
    onsemi
    N
    900 mA
    20 V
    220 mΩ
    SOT-23
    PowerTrench
    -
    SMD
    0.6V
    3
    -12 V, +12 V
    Enhancement
    350 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.3mm
    1,1 nC @ 4,5 V
    2.92mm
    Si
    onsemi
    N, P
    2 A; 2,5 A
    30 V
    150 mΩ, 220 mΩ
    SOT-23
    PowerTrench
    -
    SMD
    1V
    6
    -25 V, -16 V, +16 V, +25 V
    Enhancement
    960 mW
    -
    Isoliert
    2
    +150 °C
    1.7mm
    4,1 nC @ 10 V, 4,7 nC @ 10 V
    3mm
    Si
    DiodesZetex
    P
    3,6 A
    20 V
    62 mΩ
    SOT-23
    -
    1V
    SMD
    -
    3
    –8 V, +8 V
    Enhancement
    810 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    15,4 nC @ 4,5 V
    3mm
    Si
    Infineon
    N
    106 A
    30 V
    -
    Herr TDSON
    -
    -
    SMD
    -
    8
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    onsemi
    N
    116 A
    900 V
    -
    TO-247-4L
    -
    -
    THT
    -
    4
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    SiC
    Infineon
    N
    44 A
    600 V
    -
    HSOF-8
    -
    -
    SMD
    -
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    Toshiba
    P
    3,5 A
    60 V
    1,29 e+008 Ω
    SOT-23
    -
    2V
    SMD
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    Silicon
    CHF.0.672
    Stück (In einer VPE à 5)
    Infineon
    -
    -
    30 V
    -
    TO-220AB
    HEXFET
    -
    SMD
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    P
    5 A
    30 V
    0,042 O
    TO-236
    TrenchFET
    2.5V
    SMD
    -
    3
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    N
    2,4 A
    600 V
    3,6Ω
    DPAK (TO-252)
    MDmesh, SuperMESH
    4.5V
    SMD
    3V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    45 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.2mm
    11,8 nC @ 10 V
    6.6mm
    Si
    onsemi
    N
    203 A
    80 V
    2,1 mΩ
    DFN
    -
    4V
    SMD
    2V
    5
    ±20 V
    Enhancement
    200 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    6.1mm
    85 nC @ 10 V
    5.1mm
    -
    Infineon
    N
    86 A
    30 V
    -
    DPAK
    HEXFET
    -
    THT
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    N
    22 A
    650 V
    160 mΩ
    TO-247
    MDmesh DM2
    5V
    THT
    3V
    3
    –25 V, +25 V
    Enhancement
    190 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    5.15mm
    39 nC @ 10 V
    15.75mm
    Si
    Ergebnisse pro Seite