Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 250-0595
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 99 | CHF.5.56 |
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- RS Best.-Nr.:
- 250-0595
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R055CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Der neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf Soft-Switching-Anwendungen wie Phasenverschiebungs-Vollbrücken (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Dies resultiert aus der reduzierten Gate-Ladung (Qg), der klassenbesten Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und dem verbesserten Abschaltverhalten. CoolMOS CFD7 bietet höchste Effizienz in resonanten Topologien.
Klassenbestes RDS(on) in SMD- und THD-Gehäusen
Hervorragende Robustheit bei harter Kommutierung
Höchste Zuverlässigkeit für Resonanztopologien
Höchster Wirkungsgrad mit hervorragendem Kompromiss zwischen Benutzerfreundlichkeit und Leistung
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