Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 244-0908
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.6’468.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.3.234 | CHF.6’463.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0908
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der IPT60R040S7 von Infineon ermöglicht das beste Preis-Leistungs-Verhältnis für niederfrequente Schaltanwendungen. CoolMOS™ S7 weist die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET auf, mit einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz.
CoolMOSTM S7-Technologie ermöglicht 22 mΩ RDS(on) in der kleinsten Abmessung
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin IPT60R040S7XTMA1 HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin IPT60R055CFD7XTMA1 HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 122 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 143 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 81 W, 8-Pin IPT044N15N5ATMA1 HSOF-8