Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 244-0909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-0909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der IPT60R040S7 von Infineon ermöglicht das beste Preis-Leistungs-Verhältnis für niederfrequente Schaltanwendungen. CoolMOS™ S7 weist die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET auf, mit einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz.
CoolMOSTM S7-Technologie ermöglicht 22 mΩ RDS(on) in der kleinsten Abmessung
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