Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 244-0901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 244-0901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-Leadless-Gehäuse ist für Hochstromanwendungen bis 300 A optimiert, wie z. B. Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge (LEV), Elektrowerkzeuge, Point-of-Loads (POL), Telekommunikation und E-Sicherungen. Darüber hinaus ermöglicht die um 60 Prozent kleinere Gehäusegröße eine sehr kompakte Bauweise.
N-Kanal, normales Niveau
100 % Lawinengeprüft
Bleifreie Beschichtung,
RoHS-konform
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