Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 244-0902
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.30
Auf Lager
- Zusätzlich 1’005 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.6.30 |
| 10 - 24 | CHF.6.00 |
| 25 - 49 | CHF.5.74 |
| 50 - 99 | CHF.5.49 |
| 100 + | CHF.5.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0902
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-Leadless-Gehäuse ist für Hochstromanwendungen bis 300 A optimiert, wie z. B. Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge (LEV), Elektrowerkzeuge, Point-of-Loads (POL), Telekommunikation und E-Sicherungen. Darüber hinaus ermöglicht die um 60 Prozent kleinere Gehäusegröße eine sehr kompakte Bauweise.
N-Kanal, normales Niveau
100 % Lawinengeprüft
Bleifreie Beschichtung,
RoHS-konform
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin IPT026N10N5ATMA1 TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin IPT020N10N5ATMA1 TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin IPT60R040S7XTMA1 HSOF-8
- Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.5 A 81 W, 8-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.5 A 81 W, 8-Pin IPLU300N04S4R8XTMA1 TO-263