MOSFETs | MOSFET-Transistoren, N- & P-Channel-MOSFETs | RS
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    MOSFET

    MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

    Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

    Wie funktionieren MOSFETs?

    Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

    Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

    MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

    N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

    N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp, N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

    P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

    Warum RS

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    18961 Produkte angezeigt für MOSFET

    Toshiba
    N
    207 A
    100 V
    3,4 mΩ
    TO-220
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    255 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    140 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    DiodesZetex
    P
    4,3 A
    20 V
    90 mΩ
    SOT-23
    -
    1V
    SMD
    0.3V
    3
    ±8 V
    Enhancement
    1,2 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    6,8 nC @ 4,5 V
    3mm
    -
    Microchip
    N
    310 mA
    60 V
    7,5 Ω
    TO-92
    VN10K
    2.5V
    THT
    0.8V
    3
    30 V
    Enhancement
    1 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.06mm
    -
    5.08mm
    -
    IXYS
    N
    80 A
    600 V
    70 mΩ
    PLUS247
    HiperFET, Polar3
    5V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    1,3 kW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    5.21mm
    190 nC @ 10 V
    16.13mm
    Si
    Vishay
    N
    600 mA
    30 V
    480 mΩ
    SOT-323
    -
    -
    SMD
    1V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    280 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.35mm
    0,86 nC @ 10 V
    2.2mm
    Si
    Infineon
    N
    34 A
    200 V
    32 mΩ
    D2PAK (TO-263)
    OptiMOS™ 3
    4V
    SMD
    2V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    136 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    9.45mm
    22 nC @ 10 V
    10.31mm
    Si
    Infineon
    P
    9,7 A
    60 V
    400 mΩ
    DPAK (TO-252)
    SIPMOS®
    2V
    SMD
    1V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    42 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    6.22mm
    14 nC @ 10 V
    6.73mm
    Si
    Infineon
    N
    90 A
    60 V
    3,8 mΩ
    DPAK (TO-252)
    OptiMOS™ 5
    -
    SMD
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    167 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    6.22mm
    71 nC @ 30 V
    6.73mm
    Si
    Toshiba
    N
    400 mA
    60 V
    1,75 Ω
    SOT-23
    -
    2.1V
    SMD
    1.1V
    3
    ±20 V
    Enhancement
    1 W
    -
    -
    2
    +150 °C
    1.3mm
    0,39 nC @ 4,5 V
    2.9mm
    -
    Toshiba
    N
    90 A
    100 V
    8,2 mΩ
    TO-220
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    126 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    49 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Infineon
    P
    3 A
    30 V
    165 mΩ
    SOT-23
    HEXFET
    2.5V
    SMD
    1V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,25 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    9,5 nC @ 10 V
    3.04mm
    Si
    Vishay
    P
    7,6 A
    30 V
    0,04 O
    SOT-23
    TrenchFET
    2.5V
    SMD
    -
    3
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    299 A
    80 V
    0,0018 Ω
    PowerPAK 8 x 8 l
    N-Channel 80-V
    4V
    SMD
    -
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    19 A
    600 V
    201 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    5V
    SMD
    3V
    3
    ±30 V
    Enhancement
    156 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.22mm
    21 nC @ 10 V
    6.73mm
    -
    Infineon
    N
    24 A
    650 V
    160 mΩ
    TO-247
    CoolMOS™ C6
    3.5V
    THT
    2.5V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    176 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    5.21mm
    75 nC @ 10 V
    16.13mm
    Si
    IXYS
    N
    10 A
    800 V
    1,1 Ω
    TO-220
    HiperFET, Polar
    5.5V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    300 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.83mm
    40 nC @ 10 V
    10.66mm
    Si
    IXYS
    N
    10 A
    800 V
    1,1 Ω
    TO-220
    HiperFET, Polar
    5.5V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    300 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.83mm
    40 nC @ 10 V
    10.66mm
    Si
    Semelab
    N
    10 A
    70 V
    -
    DK
    TetraFET
    7V
    Schraubmontage
    -
    5
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    175 W
    -
    Gemeinsame Quelle
    2
    +200°C
    6.47mm
    -
    24.76mm
    Si
    STMicroelectronics
    N
    5,2 A
    800 V
    1,8 Ω
    TO-220
    MDmesh, SuperMESH
    4.5V
    THT
    3V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    125 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.6mm
    40 nC @ 10 V
    10.4mm
    Si
    STMicroelectronics
    N
    80 A
    100 V
    8 mΩ
    DPAK (TO-252)
    STripFET H7
    4V
    SMD
    2V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    120 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    6.2mm
    61 nC @ 10 V
    6.6mm
    Si
    Ergebnisse pro Seite