Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 784-0325P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML5203TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 784-0325P
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- IRLML5203TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 165mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 165mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30V maximale Drain-Source-Spannung - IRLML5203TRPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Leistungsbauelement, das sich für eine Reihe von Anwendungen in der Elektronikbranche eignet. Dieser P-Kanal-Baustein im kompakten SOT-23-Gehäuse bietet einen hohen Wirkungsgrad mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 3 A und einer Drain-Source-Spannung von 30 V. Mit Abmessungen von 3,04 mm in der Länge, 1,4 mm in der Breite und 1,02 mm in der Höhe eignet er sich gut für platzbeschränkte Designs.
Eigenschaften und Vorteile
• Drain-Source-Spannung von 30 V für vielseitigen Einsatz möglich
• Entwickelt für die Oberflächenmontage zur Vereinfachung des PCB-Designs
• Arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C
• Nutzt den Anreicherungsmodus für zuverlässige Schaltleistung
Anwendungen
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für optimale Leistung
• Einsatz in tragbarer Elektronik aufgrund des flachen Designs
• Angewandt in Lastmanagementlösungen für verschiedene Geräte
• Geeignet für fortschrittliche Automatisierungssteuerungssysteme
Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on) in diesem Gerät?
Der niedrige Rds(on) sorgt für eine geringere Verlustleistung während des Betriebs, was den Gesamtwirkungsgrad erhöht und die Wärmeentwicklung in den Anwendungen niedrig hält.
Wie wirkt sich die Verlustleistung auf die Leistung des Geräts aus?
Die Fähigkeit, bis zu 1,25 W abzuleiten, ermöglicht ein effektives Wärmemanagement, das sicherstellt, dass das Gerät auch unter maximaler Belastung zuverlässig und ohne thermische Ausfälle arbeitet.
Welche Faktoren beeinflussen die Auswahl dieses MOSFET für eine bestimmte Anwendung?
Faktoren wie maximaler kontinuierlicher Drainstrom, Spannungswerte und thermische Eigenschaften sollten berücksichtigt werden, um die Kompatibilität mit den Schaltungsanforderungen und Leistungserwartungen sicherzustellen.