Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 299 A 3.3 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 225-9921
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH800E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.418 | CHF.10.84 |
| 20 - 48 | CHF.5.145 | CHF.10.29 |
| 50 - 98 | CHF.4.169 | CHF.8.34 |
| 100 - 198 | CHF.3.791 | CHF.7.58 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9921
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH800E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 299A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 210nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 1.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 299A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 210nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 1.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Vollständig bleifreies Gerät (Pb)
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
50 % geringere Abmessungen als D2PAK (TO-263)
100 % Rg- und UIS-geprüft
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