Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 62.3 A 5 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 225-9922
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR122LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1’512.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.504 | CHF.1’527.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9922
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR122LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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