Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-23

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T2N7002BK
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.39nC

Durchlassspannung Vf

-0.79V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Länge

2.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Hochgeschwindigkeitsschalten

ESD-Stufe (HBM) 2 kV

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 1,05 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 mΩ (typ.) (@ VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

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