Toshiba Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-2542
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K335R
- Marke:
- Toshiba
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- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 0.7mm | ||
Breite 1.8 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Gate-Ansteuerungsspannung 4,5 V
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 38 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)
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