Teile-Nr.

Toshiba Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 171-2542
Herst. Teile-Nr.:: SSM3K335R
Marke:: Toshiba

Toshiba Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 171-2542
Herst. Teile-Nr.:: SSM3K335R
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	3
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.9mm
	Höhe	0.7mm
	Breite	1.8 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart SMD
	Pinanzahl 3
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.9mm
	Höhe 0.7mm
	Breite 1.8 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1

Ursprungsland:: TH

Gate-Ansteuerungsspannung 4,5 V

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 38 Ω (max.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)

Toshiba Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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