Toshiba Einfach N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 250 mA 150 mW, 3-Pin ESM

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RS Best.-Nr.:
171-2483P
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K37MFV
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

ESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

0.8mm

Breite

1.2mm

Höhe

0.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
TH
1,5-V-Antrieb

Niedriger Einschaltwiderstand: Ron = 66 mΩ (max.) (bei VGS = 1,5 V)

Ron = 43 mΩ (max.) (bei VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (max.) (bei VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (max.) (bei VGS = 4,0 V)

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