Toshiba Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 20 V Erweiterung, 3-Pin ESM
- RS Best.-Nr.:
- 171-2483P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K37MFV
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- 171-2483P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K37MFV
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | ESM | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 0.8mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße ESM | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 0.8mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Höhe 0.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- TH
1,5-V-Antrieb
Niedriger Einschaltwiderstand: Ron = 66 mΩ (max.) (bei VGS = 1,5 V)
Ron = 43 mΩ (max.) (bei VGS = 1,8 V)
Ron = 32 mΩ (max.) (bei VGS = 2,5 V)
Ron = 28 mΩ (max.) (bei VGS = 4,0 V)
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