Toshiba Einfach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
171-2399
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K333R
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

2 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

800 μm

Länge

2.9 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

42 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Breite

1.8 mm

Ursprungsland:
TH
4.5V drive

Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

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