Taiwan Semiconductor Einfach N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.8 A 900 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
169-8935
Herst. Teile-Nr.:
TSM2302CX RFG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.8 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

900 mW

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

950 μm

Länge

3.05 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

65 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

8 V, -8 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Breite

1.4 mm

N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor


MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor


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