Taiwan Semiconductor Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.8 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 169-8935
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2302CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8, -8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8, -8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor
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