ROHM RUM001L02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V 150 mW, 3-Pin RUM001L02T2CL ESM

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Herst. Teile-Nr.:
RUM001L02T2CL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RUM001L02

Gehäusegröße

ESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

0.9 mm

Länge

1.3mm

Höhe

0.45mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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