ROHM RE1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin RE1C002ZPTL SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 148-6960
- Herst. Teile-Nr.:
- RE1C002ZPTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 148-6960
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- RE1C002ZPTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Serie | RE1C002ZP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 0.96 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Serie RE1C002ZP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 0.96 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Niederspannungs-Antriebsart (12 V)
Pch-Kleinsignal-MOSFET
Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse
Bleifrei/RoHS-konform
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