ROHM RE1E002SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / -0.25 A 150 mW, 3-Pin RE1E002SPTCL SOT-416

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Herst. Teile-Nr.:
RE1E002SPTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-0.25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

RE1E002SP

Gehäusegröße

SOT-416

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TH
Die MOSFETs von ROHM sind durch die Mikroverarbeitungstechnologien mit ultra-niedrigem ON-Widerstand ausgestattet und eignen sich für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch. Die breite Produktpalette umfasst kompakte, leistungsstarke und komplexe Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

4-V-Antriebstyp

Pch, Kleinsignal-MOSFET

Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage

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