ROHM RE1E002SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / -0.25 A 150 mW, 3-Pin SOT-416
- RS Best.-Nr.:
- 264-3819
- Herst. Teile-Nr.:
- RE1E002SPTCL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 264-3819
- Herst. Teile-Nr.:
- RE1E002SPTCL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -0.25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | RE1E002SP | |
| Gehäusegröße | SOT-416 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -0.25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie RE1E002SP | ||
Gehäusegröße SOT-416 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Die MOSFETs von ROHM sind durch die Mikroverarbeitungstechnologien mit ultra-niedrigem ON-Widerstand ausgestattet und eignen sich für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch. Die breite Produktpalette umfasst kompakte, leistungsstarke und komplexe Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
4-V-Antriebstyp
Pch, Kleinsignal-MOSFET
Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
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