ROHM RUM002N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin ESM

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

CHF.6.10

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 5'900 Einheit(en) mit Versand ab 24. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 - 400CHF.0.061CHF.5.96
500 - 900CHF.0.04CHF.3.84
1000 - 2400CHF.0.03CHF.2.73
2500 - 4900CHF.0.03CHF.2.73
5000 +CHF.0.03CHF.2.63

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-6839
Herst. Teile-Nr.:
RUM002N02T2L
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RUM002N02

Gehäusegröße

ESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.3mm

Breite

0.9 mm

Höhe

0.45mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Verwandte Links