ROHM RUM002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin RUM002N05T2L ESM

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 60 Stück)*

CHF.12.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
60 - 240CHF.0.20CHF.11.84
300 - 540CHF.0.126CHF.7.56
600 - 1440CHF.0.126CHF.7.37
1500 - 2940CHF.0.116CHF.7.18
3000 +CHF.0.116CHF.6.99

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-6840
Herst. Teile-Nr.:
RUM002N05T2L
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

RUM002N05

Gehäusegröße

ESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.8 mm

Höhe

0.5mm

Länge

1.2mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Verwandte Links