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Kürzlich gesucht

    Toshiba MOSFET

    283 Produkte angezeigt für Toshiba MOSFET

    Toshiba
    N
    30 A
    250 V
    60 mΩ
    TO-3PN
    -
    3.5V
    THT
    1.5V
    3
    +20 V
    Enhancement
    260 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.5mm
    100 nC @ 10 V
    15.5mm
    Si
    Toshiba
    N
    31 A
    30 V
    16 mΩ
    TSON
    U-MOSVIII-H
    2.3V
    SMD
    1.3V
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    19 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    3.1mm
    7,5 nC bei 10 V
    3.1mm
    Si
    Toshiba
    N
    11,5 A
    600 V
    340 mΩ
    DPAK (TO-252)
    TK
    3.7V
    SMD
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    100 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.1mm
    25 nC @ 10 V
    6.6mm
    Si
    Toshiba
    N
    11,5 A
    600 V
    340 mΩ
    DPAK (TO-252)
    TK
    3.7V
    SMD
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    100 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.1mm
    25 nC @ 10 V
    6.6mm
    Si
    Toshiba
    P
    4 A
    30 V
    136 mΩ
    SOT-23
    -
    2V
    SMD
    0.8V
    3
    +20 V
    -
    2 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.8mm
    5,9 nC @ -10 V nC
    2.9mm
    Si
    Toshiba
    N
    30 A
    650 V
    0,09 Ω
    TO-247
    TK090N65Z
    4V
    THT
    -
    3
    -
    Enhancement
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    Silicon
    Toshiba
    N
    263 A
    60 V
    2,3 mΩ
    TO-220
    U-MOSVIII-H
    4V
    THT
    2V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    255 W
    -
    -
    1
    +150 °C
    4.45mm
    140 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Toshiba
    N
    20 A
    600 V
    155 mΩ
    TO-3PN
    TK
    3.7V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    165 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.5mm
    48 nC @ 10 V
    15.5mm
    Si
    Toshiba
    N
    60 A
    60 V
    12,3 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    3V
    SMD
    2V
    3
    ±20 V
    Enhancement
    88 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    7mm
    60 nC @ 10 V
    6.5mm
    -
    Toshiba
    N
    6 A
    650 V
    1,11 Ω
    SC-67
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    45 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.5mm
    20 nC @ 10 V
    10mm
    Si
    Toshiba
    N
    100 A
    60 V
    2,7 mΩ
    TO-220SIS
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    45 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.5mm
    140 nC @ 10 V
    10mm
    Si
    Toshiba
    N
    38 A
    30 V
    12,7 mΩ
    SOP
    U-MOSVIII-H
    2.3V
    SMD
    1.3V
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    24 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    5mm
    9,8 nC @ 10 V
    5mm
    Si
    Toshiba
    N
    207 A
    100 V
    3,4 mΩ
    TO-220
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    255 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    140 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Toshiba
    N
    400 mA
    60 V
    1,75 Ω
    SOT-23
    -
    2.1V
    SMD
    1.1V
    3
    ±20 V
    Enhancement
    1 W
    -
    -
    2
    +150 °C
    1.3mm
    0,39 nC @ 4,5 V
    2.9mm
    -
    Toshiba
    N
    90 A
    100 V
    8,2 mΩ
    TO-220
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    126 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    49 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Toshiba
    N
    207 A
    100 V
    3,4 mΩ
    TO-220
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    255 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    140 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Toshiba
    N
    8 A
    600 V
    560 mΩ
    DPAK (TO-252)
    DTMOSIV
    4.5V
    SMD
    3V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    80 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.1mm
    22 nC @ 10 V
    6.6mm
    Si
    Toshiba
    N
    11,5 A
    600 V
    300 mΩ
    TO-220
    TK
    3.7V
    THT
    -
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    110 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    25 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Toshiba
    N
    43 A
    60 V
    15 mΩ
    TO-220
    TK
    4V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    53 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.45mm
    16 nC @ 10 V
    10.16mm
    Si
    Toshiba
    N
    100 A
    40 V
    4,5 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    2.5V
    SMD
    1.5V
    3
    ±20 V
    Enhancement
    180 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    7mm
    76 nC @ 10 V
    6.5mm
    -
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