Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TK100E06N1,S1X(S TO-220

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RS Best.-Nr.:
125-0528
Herst. Teile-Nr.:
TK100E06N1,S1X(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

263A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.1mm

Breite

4.45 mm

Länge

10.16mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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