Teile-Nr.

Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TPN30008NH,LQ(S TSON

RS Best.-Nr.:: 133-2814
Herst. Teile-Nr.:: TPN30008NH,LQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TPN30008NH,LQ(S TSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 133-2814
Herst. Teile-Nr.:: TPN30008NH,LQ(S
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	22A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TSON
	Serie	U-MOSVIII-H
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	30mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Maximale Verlustleistung Pd	27W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.1mm
	Breite	3.1 mm
	Höhe	0.85mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TSON
	Serie U-MOSVIII-H
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Maximale Verlustleistung Pd 27W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.1mm
	Breite 3.1 mm
	Höhe 0.85mm
	Automobilstandard Nein

Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TPN30008NH,LQ(S TSON

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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