Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 157 A 192 W, 3-Pin TK72E08N1,S1X(S TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 125-0591
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72E08N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.30
Auf Lager
- Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.46 | CHF.7.31 |
| 25 - 45 | CHF.0.882 | CHF.4.40 |
| 50 - 120 | CHF.0.798 | CHF.4.01 |
| 125 - 245 | CHF.0.798 | CHF.3.97 |
| 250 + | CHF.0.777 | CHF.3.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-0591
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72E08N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 157A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.1mm | |
| Länge | 10.16mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 157A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.45 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.1mm | ||
Länge 10.16mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 19 W, 8-Pin TSON
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 32 A 21 W, 8-Pin SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
