Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin TK15S04N1L,LQ(O TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
133-2798
Herst. Teile-Nr.:
TK15S04N1L,LQ(O
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

46W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Breite

5.5 mm

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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