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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba TK100S04N1L N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
RS Best.-Nr.:
171-2416
Herst. Teile-Nr.:
TK100S04N1L
Marke:
Toshiba
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4000 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
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RS Best.-Nr.:
171-2416
Herst. Teile-Nr.:
TK100S04N1L
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
TK100S04N1L Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: Ausgenommen
Ursprungsland:
JP
Anwendungsbereich
Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Merkmale
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
100 A
Drain-Source-Spannung max.
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
4,5 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.
1.5V
Verlustleistung max.
180 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs
76 nC @ 10 V
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Breite
7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
2.3mm
Diodendurchschlagsspannung
1.2V
Automobilstandard
AEC-Q101