Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10 μA 55 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
174-4116
Herst. Teile-Nr.:
TK8P25DA,RQ(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10μA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

55W

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Toshiba MOSFET ist ein Silizium-N-Kanal-MOS mit 3-poligem und SMD-Montagetyp.

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

Niedriger Leckstrom

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