Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 5.8 A 60 W, 3-Pin TK6P65W,RQ(S TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 133-2800
- Herst. Teile-Nr.:
- TK6P65W,RQ(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Vorübergehend ausverkauft
- RS Best.-Nr.:
- 133-2800
- Herst. Teile-Nr.:
- TK6P65W,RQ(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie DTMOSIV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Durchlassspannung Vf 1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 7,5 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)