Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9.7 A 30 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 125-0532
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-24-218
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10A60W,S4VX(M
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.18
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.636 | CHF.8.19 |
| 25 - 45 | CHF.1.061 | CHF.5.32 |
| 50 - 120 | CHF.1.03 | CHF.5.17 |
| 125 - 245 | CHF.1.01 | CHF.5.04 |
| 250 + | CHF.0.98 | CHF.4.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-0532
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-24-218
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10A60W,S4VX(M
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 39 A 50 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15.8 A 130 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 230 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15.8 A 40 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN