Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15.8 A 130 W, 3-Pin TO-3P
- RS Best.-Nr.:
- 891-2917
- Herst. Teile-Nr.:
- TK16J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
Vorübergehend ausverkauft
- RS Best.-Nr.:
- 891-2917
- Herst. Teile-Nr.:
- TK16J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.5mm | |
| Höhe | 20mm | |
| Breite | 4.5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.5mm | ||
Höhe 20mm | ||
Breite 4.5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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