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Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN
RS Best.-Nr.:
891-2917
Herst. Teile-Nr.:
TK16J60W,S1VQ(O
Marke:
Toshiba
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200 +
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RS Best.-Nr.:
891-2917
Herst. Teile-Nr.:
TK16J60W,S1VQ(O
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
TK16J60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland:
JP
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
15,8 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Serie
TK
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
190 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Verlustleistung max.
130 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Transistor-Werkstoff
Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs
38 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
15.5mm
Diodendurchschlagsspannung
1.7V
Höhe
20mm